2011年

公司成立。

2012年

开发出新产品微波瓷介芯片电容器并批量生产。

2013年

开发出新产品TaN的薄膜电路并批量生产。

2014年

开发出金锡预成型焊盘、介电常数35000~55000的巨介电常数晶界层材料。

2015年

开发出新产品通孔互连、侧面圆形化薄膜电路并批量生产。

2016年

微波瓷介芯片电容器达到宇航级标准。

2017年

开发大容量微波芯片电容器、介电常数65000~73000的巨介电常数晶界层材料。

2018年

开发出新产品微波介质天线并批量生产、新产品薄膜阻容网络推向市场。

2019年

开发出新产品微波介质谐振器并批量生产、薄膜阻容网络批量生产。

2020年

开发出实心孔膜电路、介质桥薄膜电路并批量生产。

2021年

开发出微波硅基芯片电容器并推向市场。

2022年-2023年

2022年，开发出介电常数80000-100000的巨介常数晶界层材料。

2023年，开发出介质损耗角正切≦0.0001、Q≧10000的高Q芯片电容器。